1. В сообществе нашего форума Вконтакте создан раздел по продаже электронных компонентов.
    Каждый может продать в нем свои залежавшиеся детали. Подробности здесь.

Помогите решить задачи

Тема в разделе "Схемотехника", создана пользователем vitalytut, 3 сен 2016.

Статус темы:
Закрыта.
  1. vitalytut

    vitalytut Гость

    Сообщения:
    4
    Симпатии:
    0
    Добрый день. Не могу найти вообще никаких формул. Задачи вообще не гуглятся.
    Информации 0.

    1) Подложки кремния p-типа проводимости с ориентацией (100), легированные до уровня X см-3, подвергались ионной имплантации мышьяка с ионной дозой Y см-2 при энергии ионов Z кэВ и последующей диффузии при температуре Т °С в течение 30 мин в атмосфере азота. Определите поверхностную концентрацию электрически активного мышьяка.

    2) Ионный пучок с величиной тока X мкА имеет полуугловое расхождение С° после прохождения квадратной апертурой диафрагмы (8x8 см), расположенной на расстоянии Y см от мишени. Определите время процесса, необходимое для ионной имплантации с дозой Z см-2 для однократно ионизированных моноатомных частиц.
     
  2. vitalytut

    vitalytut Гость

    Сообщения:
    4
    Симпатии:
    0
    вот еще. ничего не гуглится, вообще!! ни одна задача ни одной формулы. ничего! как может что то не гуглится в 21 веке то.
    2) Подложки кремния p-типа проводимости с ориентацией (100), легированные до уровня X см-3, подвергались ионной имплантации мышьяка с ионной дозой Y см-2 при энергии ионов Z кэВ и последующей диффузии при температуре Т °С в течение 30 мин в атмосфере азота. Определите поверхностную концентрацию электрически активного мышьяка.



    3) Ионный пучок с величиной тока X мкА имеет полуугловое расхождение С° после прохождения квадратной апертурой диафрагмы (8x8 см), расположенной на расстоянии Y см от мишени. Определите время процесса, необходимое для ионной имплантации с дозой Z см-2 для однократно ионизированных моноатомных частиц.



    4) Допускаем, что для формирования полезного изображения в резисте перенос модуляции шаблона на рентгеновский резист равен или больше X. Какова минимальная толщина слоя золота на шаблоне для рентгеновской литографии, необходимая для удовлетворения этого требования, при экспонирующем излучении с длиной волны Y нм.



    5) Дорожка поликристаллического кремния толщиной 0,5 мкм проходит через ступеньку изолирующего окисла высотой 1,1 мкм и через подзатворный окисел толщиной 0,05 мкм. Вычислите необходимые значения селективности травления относительно маски и подзатворного окисла, если травление поликристаллического кремния осуществляется в процесс, характеризуемом 10%-ной однородностью скорости травления, Аf = 1,0 и Аm= 0,5.


    Однородность толщины слоя поликристаллического кремния,
    %
    Однородность скорости травления маски,
    %
    Угол наклона края элемента маски,
    °
    Точность контроля ширины вытравливаемых линий,
    мкм

    5
    5
    10
    0,1


    6) : Каково содержание кислорода в пленках А1, осаждаемых со скоростью , если при температуре Т, давление остаточных паров воды в камере испарения А1 равно р. Предположите, что реакция А1 с парами воды приводит к внедрению А1203 в осаждаемую пленку, а вероятность вступления в реакцию каждой молекулы воды составляет 10-3.



    7) Постройте зависимость изменения величины порогового напряжения ∆VT от смещения на подложке VBS для полевых МОП-транзисторов с толщиной подзатворного окисла 35 нм, сформированных на однородно легированных подложках с уровнем легирования.


    Уровень легирования,
    см-3

    1×1015
  3. SeregaZ

    SeregaZ В доску свой

    Сообщения:
    391
    Симпатии:
    38
    о как! а у нас разве такому обучают? :)))) я думаю материалов нет - потому что ты гуглил на русском. попробуй перевести на буржуйский и поискать еще раз. думаю буржуйских материалов на эту тему будет побольше.
  4. _VN_

    _VN_ В доску свой

    Сообщения:
    487
    Симпатии:
    64
    Род занятий:
    Инженер
    Адрес:
    Алматы
    Этому нигде не обучают, это "придумывают" для статьи или диссертации.
    На самом деле в этой области всё совсем не так, как мы можем себе представить. Для результативного диалога ТС желательно внимательно прочитать "Вакуум для науки и техники".

    Вложения:

    • Vakuum.rar
      Размер файла:
      2 МБ
      Просмотров:
      2
  5. vitalytut

    vitalytut Гость

    Сообщения:
    4
    Симпатии:
    0
    задачи отсюда.

    booksgid. ком/hardware/1321-tekhnologija-sbis-v-2-kh-kn.-kn.-2.html

    нига: Технология СБИС: В 2-х кн. Кн. 2
    Рубрика: Аппаратура, Учеба, наука
    Название: Технология СБИС: В 2-х кн. Кн. 2
    Автор: Могэб К., Фрейзер Д., Фичтнер У., Паррильо Л., Маркус Р., Стейдел К., Бертрем У./ Под ред. С.Зи
    Издательство: М: Мир: Редакция литературы по новой технике
    Год: 1986
    Страниц: 453 с., ил.
    Формат: djvu
    Размер: 5.7 MB
  6. _VN_

    _VN_ В доску свой

    Сообщения:
    487
    Симпатии:
    64
    Род занятий:
    Инженер
    Адрес:
    Алматы
    Такие книжки нужно читать не с первой, а с последней страницы, на которой должен быть показан список патентов. Даже сам текст в книге предназначен не для практического использования, а для рекламы технологий, описанных в патентах, список которых может быть неполным. Для "решения" задачи Вам придётся поработать на этой установке и, возможно, через несколько лет Вы сможете получить необходимые для решения Вашего примера коэффициенты и формулы.
    По ФИО авторов можно найти патент технологии, в котором должны быть приведены все коэффициенты и расчётные формулы. А учебник всего лишь эмблема компании, которая занимается такими технологиями, и написан для рекламы интеллектуальной собственности компании с целью продажи этой технологии.
    Последнее редактирование: 5 сен 2016
    koteika и Buba_Chkhadze нравится это.
  7. vitalytut

    vitalytut Гость

    Сообщения:
    4
    Симпатии:
    0
    удалите тему!
  8. UL7AAjr

    UL7AAjr В доску свой

    Сообщения:
    1.848
    Симпатии:
    313
    Род занятий:
    инженер-программист
    Адрес:
    Алма-Ата
Статус темы:
Закрыта.

Поделиться этой страницей